RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1676
3987
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link