RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
3167
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link