RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2340
2760
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMZ8GX3M2B1600C9 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link