RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2340
3779
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link