RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2633
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link