RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3224
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link