RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
55
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2486
2078
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link