RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2575
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link