RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
48
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3047
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link