RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2680
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link