RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2103
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link