RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2987
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link