RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2927
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link