RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3611
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link