RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
92
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3669
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link