RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
92
Wokół strony -179% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2854
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link