RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
92
Wokół strony -179% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2503
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link