RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3035
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link