RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3711
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link