RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
92
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1824
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link