RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
92
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2909
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link