RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
92
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
60
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2359
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link