RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
92
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1897
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link