RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
92
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3805
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link