RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
22.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3938
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link