RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
42
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2790
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link