RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2620
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link