RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2910
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link