RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
61
Wokół strony -205% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3217
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link