RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
61
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2608
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link