RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
874.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
81
Wokół strony -252% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
81
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,885.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
874.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
277
3227
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link