RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
874.3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
81
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
81
32
Prędkość odczytu, GB/s
1,885.7
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
874.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
277
3217
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HMT351R7CFR4C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link