RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
71
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1799
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link