RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2534
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link