RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2245
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link