RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3851
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link