RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
72
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
72
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1593
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link