RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
72
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2288
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link