RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
72
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2709
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link