RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3563
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link