RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3140
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link