RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2533
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link