RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
64
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3285
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link