RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2952
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link