RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3167
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link