RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
73
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1724
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link