RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2854
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link