RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2938
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link