RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3306
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link