RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3078
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link